重庆某半导体电源芯片电源芯片营造厂，晶圆生产制造进程中会产生含硅、氟的唯一性污废水处里工艺 ，设计治理 范围1200吨/日。污废水处里工艺 的成分繁杂，所含纳米级级硅颗粒状及氢佛酸，经典治理 方式方法其特性很难达到标准。 废水处理组成及渠道 主要污染源物 ：橡胶胶体部分硅（100-500nm比表面积）、氟铁离子（200-300mg/L）、异丙醇 主要来源工艺程序 ：晶圆刻蚀污水（45%）、CMP化学反应机制cnc精密机械加工污水（40%）、生产设备清洗道路水（15%） 工作加工过程具体步骤 企业创新用"化学上的水解+特种车辆膜分離"技术性线路： 钙盐奠定 ：污泥脱水氯化钙清除氟阴阳离子（制成CaF2沉淀物） 斜板沉淀池体现 ：黏结斜管沉淀池剂建立橡胶胶体部分硅脱稳 管式微滤 ：0.1μm内径膜挤占微细科粒 反固化系统的 ：脱盐率>98%，的回收利用率75% 蒸发器晶粒 ：浓水段构建氟化物零排出 决定性效果好 氟化物渗透压：<8mg/L（最低一个国家3级标准10mg/L） 硅水平：<5mg/L 水成本造纸废水处理率：70%主要用于冷去塔补水保湿 危废处理削减：化掉渣滓量较常用艺削减60%